Planete Sciences

Hello world.
Je travail actuellement sur un projet ou je dois piloter de mosfet.
pour ce faire je compte utiliser des drivers, mais vue le nombre de drivers je ne sais pas trop le quelle prendre.
alors mon choix se porte sur plusieurs produit.
tout d'abord voici les transistor que j'ai choisi : SUM90N03-2m2P
1er : Si9976
2eme: HIP4081

Chaque drivers on leur avantage mais la vrai question est de savoir le quelle deux drivers fera le moins chauffer les mosfet ??

Je pense que le HIP4081 sera le grand gagnant mais, le SI9976 ferait beaucoup moins bien ?

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peut t'on connaitre la motivation qui ta fait choisir ces composant?
perso je fais mon driver moi même donc peu pas te conseiller
ce qui fait le moins chauffé c'est le faite de pas trop commuté

Non ce qui fait que ça chauffe moins c'est de commuter plus vite, ie être capable de commuter la capacité de gate du mosfet dans un temps le plus faible possible


Ton mosfet à une capacité de gate de 82nC typ (tout dépend après du courant que tu feras transité et de la tension de commande).
le HIP4081:
tr=40ns (min)
tf=30ns (min)
le SI9976
tr=110ns (typ)
tf=50ns (typ)
Après faut voir parce que le SI9976 est donnée pour une charge de 600nC.
Bref pas facile de trancher entre les deux car on a pas tant d'info et surtout pas de comparatif possible.

1°) le HIP4081 donne des valeurs de temps de commutation min sans donnée de fourchette.
2°) le SI9976 est moins bon mais pour une valeur de charge 5X supérieur à la tienne.
3°) Comme à mon avis tous ça n'est pas linéaire, on peut pas extrapoler grand chose.
Perso, je prendrai le HIP4081, question de feeling et de structure du chip.

PS: Attention à prendre en compte les délais de propagation dans le chip suivant les applications (j'ai eu le cas avec la commande d'un laser ou on a négligé ce paramètre, ça l'a cramé durant les stress test)

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et en quoi ce que je dis est faux?
a quel moment j'ai parlé de commuté moins vite?
Commuter moins ne veux pas forcement dire commuté moins vite, certes c'est un peu une banalité mais bon on ce rejoint sur le faite qu'il faut apporté un fort courant sur la grille des le début et ensuite laissé reposé jusqu'au moment ou on applique le courant inverse

ce que j'aime pas avec les circuits tout fait (en général) c'est que tu as du mal a connaitre le comportement de ses dernier
on peux selon moi rajouter le faite qui faut pouvoir lui appliquer une tension VGS (proche max) le plus rapidement possible, pour avoir un RS le plus faible possible et donc dans ce cas il est vrai qu’il devient plus couteux et plus chiant de faire une commande pour booster la tension Vgs (dans le cas de transistor de même canal)
apres c'est vrais que le rds on du transistor qu'il a choisi est 10 foi plus faible que si il prenais un canal P (sans géneraliser) de plus sa capacité est également plus faible donc sa commutation sera plus rapide

Merci pour les réponses.
J'ai du rater un épisode entre les 600nC --> au lieu des 600pF.
Je préfère employer des composants spécialisé au lieu de tenter de ré inventer ce qui existe déjà .
Pour finir par précaution je vais employer le HIP, bien que le SI9976 a pour avantage :
- pas besoin de régulateur de tension
- moins de composant autour de lui pour le faire fonctionner ce qui simplifie la conception des cartes électronique.
- à mon avis un meilleur contrôle du court circuit potentiel entre deux mos.
Les moins est le temps tr et tf mais le gros moins est le courant que l'on peut injecté directe sur la gate du transistor est de 0,5A, l'un dans l’autre donnera un échauffement plus important.
Plus le transistor prend du temps pour commuter plus il passe de temps dans la zone linéaire donc plus il chauffera non ?
La vrai question est : de combien sera la différence d'échauffement avec un autre drivers de mosfet ?

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Bah non, c'est faux parce que commuté moins = fréquence faible et commuté plus rapidement = front de commutation franc.
Au final si tu commute à 10Hz avec des front de 10µs tu chaufferas plus que si tu commute à 1Mhz avec des fronts de 50ns.


C'est vrai avec beaucoup de chose, les drivers, les µC, c'est pas une raison pour tout réinventer.
Je trouve que c'est super de faire ses drivers une fois, pour comprendre le mécanisme, mais après du tout fais c'est meilleur en taille, en fiabilité et en échauffement (parfois même en coût).

Exacte
Bah c'est là ou je pense que la relation est pas trivial, personnellement je me déclare incompétent.

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je ne suis pas d'accord mais j'admet la confusion possible
en aucun cas je ne parlais du temps de commutation, je parlais du nombre de commutation.
si tu commute donc a 20khz tu consomera moins qu'a 40kHz (je ne parle pas des frond car il sont moin maitrisable)

Bah développe parce que là je suis pas d'accord!

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K-my, sur ton montage prevoit des resistance en serie avec la grille des MOS (donc entre la grille et le HIP).
entre 50 et 100ohm.

Ca ralentie un peut la commutation mais ca calme bien au niveau perturbation elec pour le reste de ton electronique.
Au début tu essayer de les shunter et de pas les mettre si ca marche tant mieux. Mais il vaut mieux les avoir sur les PCB et les shunter que de ne pas prévoir la place pour les mettre et en avoir besoin

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